【电子行业标准(SJ)】 半导体分立器件 GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范
本网站 发布时间:
1992-02-01 16:00:00
- SJ20016-1992
- 现行
标准号:
SJ 20016-1992
标准名称:
半导体分立器件 GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范
标准类别:
电子行业标准(SJ)
英文名称:
Semiconductor discrete device-Detail specification for NPN silicon low-power high-reverse-voltage transistor for type 3DG182 GP,GT and GCT classes标准状态:
现行-
发布日期:
1992-02-01 -
实施日期:
1992-05-01 出版语种:
简体中文下载格式:
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标准简介:
本规范规定了3DG130型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。 SJ 20016-1992 半导体分立器件 GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管详细规范 SJ20016-1992 标准下载解压密码:www.bzxz.net
本规范规定了3DG130型NPN硅高频小功率晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定,提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。
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