【电子行业标准(SJ)】 电子器件制造防静电技术要求

中华人民共和国电子行业标准
SJ/T10630-1995
电子元器件制造防静电技术要求Antistatic requirments for manufacturingelectronic element and device1995-04-22发布
1995-10-01实施
中华人民共和国电子工业部发布1
主题内容和适用范围
引用标准
3术语
4ESD造成电子元器件失效及ESD敏感性分类·5基本要求
ESD控制的具体要求·
附录A对ESD敏感的元器件组成部分（参考件）附录B静电放电敏感电子元器件分类（参考件）(1)
中华人民共和国电子行业标准
电子元器件制造防静电技术要求Antistatic requirments for manufacturingelectronic element and device1主题内容和适用范围
1.1主题内容
SJ/T10630-1995
本标准规定了静电放电敏感电子元器件在研制、生产检验中受静电放电损害的防护技术要求。
1.2适用范围
本标准适用于静电电压小于4000V静电放电敏感电子元器件制造过程中检验、装配、打印标志、试验、包装、交货、验收、贮存运输、失效分析时的静电放电保护。2引用标准
GB4385
GB12014
GJB1649
GBJ 79
3术语
防静电胶底鞋、导电胶底鞋安全技术要求防静电工作服
电子产品防静电放电控制大纲
工业企业通信接地设计规范
3.1静电electrostatic
静屯就是物体所带相对静止不动电荷。3.2静电放电electrostaticdischarge（ESD）具有不同静电电位的物体，由于直接接触或静电感应引起的物体间的静电电荷转移。3.3静电感应electrostaticinduction当带静电物体靠近某一介质时，在该介质表面因感应而带电荷，并形成感应电场。3.4ESD保护材料ESDproctectedmatercals具备下列特征的材料：
防止产生摩擦起电；
b．免受静电场的影响；
c．防止与带电人体或与带电物体接触而产生直接放电。3.5泄漏leakage
将静电荷安全泄放到大地。
中华人民共和国电子工业部1995-04-22批准1995-10-01实施
3.6中和
neutraligation
利用异性离子使静电消失。
3.7接地grounding
SJ/T10630-1995
电气连接到能提供或接受大量电荷物体上。（如大地、舰船或运载工具外壳）。3.8ESD保护区ESDprotectedarea（EPA）用必要的ESD防护材料和设备建立和装备起来的，有明显标志的区域能够防护ESD损害。
3.9操作handling
在电子元器件制造过程中人或机具直接触及产品的动作。3.10ESD安全作系统ESDstaticsafehandlingsystem为对ESD进行防护性操作所需配置的设施和器具硬件体系和ESD控制程序等软件体系的总称。
3.11ESD损伤ESDdamge
由静电放电造成的电子元器件性能退化或功能失效。4ESD造成电子元器件失效及对ESD敏感性分类4.1ESD造成电子元器件失效
ESD对电子元器件的损伤可造成功能失效和损伤。失效的主要机理有：
热二次击穿；
金属镀层融熔；
介质击穿；
气弧放电；
表面击穿；
f.体击穿。
4.2电子元器件中易道受ESD损伤的敏感结构见附录A(参考件)。4.3静电放电敏感器件的分类表见附录B(参考件)。5基本要求
5.1对ESD进行有效地控制，以使电子元器件免受ESD危害，防止ESD造成电子元器件产品功能失效与可靠性下降。
5.2参照附录B(参考件）对所生产的电子元器件产品进行防静电设计保护，满足ESD防护要求。
6详细要求
6.1电子元器件研制生产单位建立防静电操作系统，ESD控制内容与要求见表1。-2-
控制工作
检验与测试
库房与发货
失效分析
标志与
（见6.5)
设计保护
(见6.7.2)
注：“V\须进行的内容。
6.2防静电操作系统
6.2.1防静电工作区的设计原则：SJ/T10630-1995
防静电
工作区
a：抑制静电荷的积累和静电压产生；处理
(见6.6.2)
b。安全、迅速、有效地消除已产生的静电荷；培训
(见6.6.5)
(见6.7.1)
审查与
(见6.7.4)
防静电工作区应按电子元器件静电放电灵敏度确立保护程度。无特殊规定情况下，c.
-般要求产生静电压小于100V。
6.2.2地面
采用ESD保护材料构成的地面，如：抗静电活动地板或在普通地面上铺设防静电地垫。亦可采用经过特殊处理的水磨石地面，敷设地线网。6.2.3墙壁面料
应采用ESD保护材料。
6.2.4工位
工作台面、工作凳面均应采用ESD保护材料。6.2.5人体
防静电工作区的操作人员必须穿着防静电工作服。其面料应符合GB12014规定。穿防静电工作鞋，符合GB4385有关规定。配带防静电腕带，腕带接地系统电阻的大小应考虑到人身安全，-般取1MQ~10M0。
6.2.6接地
ESD保护区要安全接地，应注意做到以下几点：防静电工作区必须有安全可靠的防静电接地装置，地电阻小于42。其埋设与检测方a.
法应符合GBJ79一85的要求。防静电地线不得与电源零线相接，不得与防雷地线共用。使用三相五线制供电时，其地线可以作为防静电地线。b．工作台面、地板垫、坐和其它导静电的ESD保护措施均应通过限流电阻接到地线，腕带应通过工作台顶面接地点与地线连接。工作台不可相互串联接地，典型的接地方式如图3
1所示。
SJ/T10630-1995
1具有防静电的工作椅；
2一操作人员戴的防静电腕带；此内容来自标准下载网
3一防静电袋(盒)或防静电转运盒；4-防静电台垫；
5-空气电离器；
6-电子设备：
7—工作台；
8一建筑物地面；
9--防静电地垫；
10一防静电地线：
11一电阻。
c。防静电工作区接地系统，包括限流电阻和连接端子应连接可靠，并具有一定载流能力，限流电阻阻值的选择应保证漏泄电流不超过5mA，下限阻值取1Mα。6.2.7滤度
当相对壶度小于60%时，须建立防静电操作系统。6.2.8电离器
在不能有效地泄放静电荷的场合，可采用电离器通过电离空气产生的正离子与负离子来防止和中和在元器件上和其它物体上电荷积累。要求电离器对静电电压消除能力大于250V/S
6.2.9增湿器
当相对湿度较低时.可怡当地使用增湿器，通过恒定的潮湿空气流，防止静电荷的积累，此方法不适于非密封电子元器件。操作时要注意因湿度增加时导致的有害影响。6.2.10防静电工作区
防静电工作区应标明区域，并有警示标志。6.3包装
静电敏感电子元器件应采用相对应的保护性包装。用于静电敏感电子元器件包装的器具必须采用防静电存放盒，防静电塑料袋等。6.4运输、贮存
转移静电敏感电子元器件必须放在防静电容器内，并采用防静电运输工具。库房满足防静操作系统要求，贮存静电灵敏电子元器件须放在防静电容器内。贴运中要远离强静电、强电磁场或放射场的位置。4
6.5标志
SJ/T10630-1995
静电敏感电子元器件(应注明分类等级)应标注静电敏感符号，符号应符合GJB1649规定。
6.6防静电操作要求
6.6.1操作静电敏感电子元器件人员应符合6.2.5的规定。6.6.2操作静电放电敏感电子元器件须在防静电工作区内进行。在防静电工作区以外操作静电放电敏感电子元器件必须先使人体接地或保持不接触元器件，以避免形成放电回路或火花放电。6.6.3传递静电敏感电子元器件应符含6.3的规定。定期检查防静电保护区，保证防静电操作系统有效。6.6.4
5对静电敏感电子元器件的操作人员须进行ESD知识和防静电技术要求的培训。6.6.5
6.7制造单位的责任
6.7.1制造单位要采取防静电技术措施，包括提高电子元器件抗静电能力设计、防静电操作系统设计、制定防静电操作规程等，并将这些内容纳入产品技术文件。6.7.2参照附录A（参考件)对电子元器件产品进行ESD试验和ESD有关的失效分析，采用有效的抗静电保护网络，不断改进设计，提高抗静电能力，出厂产品应标志出静电放电敏感度。3ESD试验方法应符合GJB1649附录A(参考件)中的详细要求。6.7.3
6.7.4为确保静电敏感电子元器件抗静电能力达到规定要求，应对6.6.1~6.6.5中规定内容须进行通过评审。
附录A(标准的附录)
元器件组成部分
MOS结构
半导体结
薄膜电阻器
金属化条
场效应结构和非
导电性盖板
压电晶体
对ESD敏感的元器件组成部分
(参考件）
元器件类别
MOSFET（分立的）
MOS集成电路
有金属跨接的半导体器件
数字集成电路(双极和MOS)
线性集成电路(双极和MOS)
MOS阻容器
混合电路
线性集成电路
二极管(PN、PIN、肖特基）
双极晶体管
结型场效应晶体管
可控硅
数字、线性双极集成电路，输入保护电路：用于分立MOS场效应管和
MOS集成电路
混合集成电路：厚膜电阻
薄膜电阻
单片集成电路一薄膜电阻器
密封薄膜电阻器
混合集成电路
单片集成电路
梳状覆盖式晶体管
采用非导电石英或陶瓷封装盖板的集成电路和存储器，特别是EPROM晶体振荡器
声表面波器件
电极间的间距较
声表面波器件
小部位
无钝化层覆盖的薄膜金属无保护的半导体器件和微电路
尖效机理
电压引起的介质击穿和接着
发生的大电流现象
由过剩能量和过热引起的微
等离子体二次击穿的微扩散
由Si和AL的扩散引起电流
束的增大
（电热迁移）
介质击穿，与电压有关的电流
通路，与焦尔热能量有关的微
电流通路的破坏
失效标志
短路(漏电大)
电阻漂移
与焦尔热能量有关的金属烧
由于ESD使正离子在表面积
垒。引起表面反型或栅阈值
电压漂移
当所加电压过大时由于机械
力使品体破裂
电弧放电使电极材料熔融
工作性能退化
工作性能退化
工作性能退化
附录B(标准的附录)
元器件类别
微波器件
分立MOS场效应管
表面声波(SAW）器件
结型场效应晶体管
电荷耦合器件
精密稳压二极管
运算放大器
超高速集成电路
其他集成电路
薄膜电阻器
混合电路
可控硅
静电放电敏感电子元器件分类
(参考件）
I级静电敏感度的元器件(1~1999V）条件及说明
包括肖特基二极管，点接触二极管，频率大于1GHz的二极管包括VMOS及VDMOS管等
包括双极型工艺及MOS工艺
包括ECL、HCMOS、FAST等工艺
包括CMOS、PMOS、NMOS、TTL等
使用I级静电敏感元器件组装的混合电路TA=100℃
Io≤0.175A
Ⅱ级静电敏感度的元器件（2000～3999V）元器件类别
分立MOS场效应管
结型场效应晶体管
运算放大器
超高速集成电路
其他集成电路
精密电阻网络
混合电路
低功率双极工艺晶体管
附加说明：
条件及说
包括VMOS、VDMOS等
包括双极工艺和MOS工艺
包括CMOS、PMOS、NMOS、TTL等
包括ECL、HCMOS、FAST等工艺
使用Ⅱ级静电敏感元器件组装的P<100mW,Ic<100mA
本标准由电子工业部标准化研究所归口。本标准由北京半导体器件三厂、电子部标准化研究所负责起草。本标准主要起草人：吕宗森、高文生、李善贞。7
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